Новости

Сейчас во всех электронных устройствах используются различные типы памяти, но еще в 2005 году была разработана магниторезистивная память, которая обещает стать идеальным вариантом универсальной памяти. Идея такой памяти витала еще с 1990-х годов, и проект сейчас разрабатывается исследователями из университетов Сингапура и Саудовской Аравии. MRAM расшифровывается как  Magnetoresistive Random Access Memory.

В современных компьютерах и мобильных электронных устройствах применяются несколько типов памяти: SRAM, или статическая память, DRAM – динамическая и Flash память. Но ни одна из них не идеальна. SRAM обладает высокой производительностью, но требует больших производственных затрат, а также «забывает» всю информацию после отключения питания. DRAM более выгодна и имеет большие запасы памяти, но нуждается в обновлениях и также чувствительна к отключению питания устройства. Flash в этом плане энергонезависима, но долго записывает в себя информацию и требует дорогостоящего производства.

Инновационная же MRAM аккумулирует в себе только лучшие характеристики существующих видов памяти. Ее микросхемы благодаря технологиям нового поколения способны хранить информацию с очень высокой плотностью и минимальными энергозатратами. Первоначальная технология MRAM-памяти подверглась некоторым изменениям, и теперь стало возможным наладить ее производство. Данные в ней хранятся в магнитных ячейках из многослойных пластин толщиной в 20 нанометров, разделенных изоляционным материалом. Срок хранения данных в такой памяти составляет порядка 20 лет, что подходит для широкого использования.

Исследователи заявляют, что нам больше не придется ждать загрузки компьютеров и других устройств, а также не нужно будет постоянно нажимать кнопку «сохранить» при работе благодаря возросшему объему доступной для хранения информации. Все данные будут сохраняться, даже если внезапно выключится электропитание.

Внедрение MRAM-памяти коренным образом способно изменить архитектуру современных компьютеров и систем с микропроцессорами и удешевить их производство. Производители полупроводниковых чипов уже заинтересовались новой технологией. В настоящее время на MRAM оформляется патентная заявка и планируется создание опытных образцов.