Сейчас во всех электронных устройствах используются различные типы памяти, но еще в 2005 году была разработана магниторезистивная память, которая обещает стать идеальным вариантом универсальной памяти. Идея такой памяти витала еще с 1990-х годов, и проект сейчас разрабатывается исследователями из университетов Сингапура и Саудовской Аравии. MRAM расшифровывается как Magnetoresistive Random Access Memory.
Подробнее →
